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SiB914DK
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
T J = 25 °C
0.25
0.20
I D = 2.5 A
1
T J = 150 °C
0.15
T J = 125 °C
0.10
T J = 25 °C
0.05
0.1
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
0. 8
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Soure-Drain Diode Forward Voltage
8
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.7
6
0.6
I D = 250 μA
4
0.5
2
0.4
0.3
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
10
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
1
0.1
0.01
Limited b y R DS(on)*
T A = 25 °C
Single P u lse
BVDSS Limited
100 μ s
1 ms
10 ms
100 ms
1 s, 10 s
DC
0.1
1
10
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Case
www.vishay.com
4
Document Number: 68792
S-81946-Rev. A, 25-Aug-08
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